كشفت مصادر من داخل شركة "وان بلس" الصينية الرائدة، تسريبات مرتبطة بهاتفها المرتقب "وان بلس 12"، والذي سيتم دعمه بذاكرة وصول عشوائي "رام" استثنائية.
وأوضحت المصادر أن هاتف "وان بلس 12" المتوقع إطلاقه في يناير المقبل؛ سيتم تزويده بـ"رام" ذات سعة تصل إلى 24 جيجابايت.
وتشير المصادر إلى أنه سيتم استخدام شاشة منحنية مدعومة بتقنية تركيز جديدة كليًّا، في هاتف "وان بلس 12".
وسيتم تزويد "وان بلس 12" بمعالج جديد من نوع "سنابدراجون 8 الجيل الثالث"، بالإضافة إلى تضمنه بطارية ضخمة بسعة 5400 ميللي أمبير في الساعة، مع دعم الشحن اللاسلكي السريع بقدرة 100 واط وشحن لاسلكي بقدرة 50 واط.
وسيُستخدم في "وان بلس 12" كاميرا رئيسية مزودة بمستشعر "سوني آي إم إكس 9 إكس إكس" بدقة 50 ميجابيكسل.
وبجانب هذه الكاميرا ستوضع كاميرا فائقة الاتساع بدقة 50 ميجابكسل، وكاميرا مقربة لثلاثة أضعاف بدقة 64 ميجابكسل، وهي الأولى من نوعها من OnePlus، بالإضافة إلى كاميرا أمامية بدقة 32 ميجابيكسل.
وسيحتوي الهاتف على إطار معدني متوسط، بالإضافة إلى قارئ بصمات الأصابع فائق النحافة مدمج في الشاشة.
وسيكون محرك الاهتزاز عبارة عن محرك "كبير جدًّا" على المحور X من أجل اهتزازات واضحة وعميقة، وستكون هناك منطقة تبديد حرارة "كبيرة جدًّا".
وسيأتي هاتف "وان بلس 12" بشاشة حجمها 6.7 بوصة، ومعدل تحديثها 120 هرتز، ودقة QHD+.
وتتوقع المصادر أيضًا أن سعة التخزين الداخلية لن تقل عن 256 جيجابايت.